就在推出7.68TB QLC SSD仅仅数天之后，Micron（美光）公司就已经开始与英特尔进行NAND生产分离。美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra及其高管和分析师分享了关于“New Micron”的未来愿景。

本周早些时候Mehrotra表示，市场正在向更多内存和存储需求转变。

他说：“边缘有数十亿台设备，不仅仅是个人电脑和智能手机，还有无人机、智能工厂、智能卡、智能城市，都在利用数据驱动数据经济......。”

他说，这其中更大的游戏规则改写者就是业界对深度学习/人工智能的集体尝试——“所有这些都是关于大规模大型数据池、快速处理以提供洞察力、为企业创造价值”。他将自然语言和计算机视觉处理作为“人工智能”类别下很显著的几个应用领域。他还提到另一个领域：自动驾驶。

Mehrotra向分析师们表示，与标准服务器相比，人工智能服务器需要6倍的DRAM和2倍的SSD。

美光认为，由于数据中心、移动设备、汽车和物联网领域的需求不断增长，这些年来一直呈现蓬勃发展的态势。

NAND并非全部......

Mehrotra谈到了他试图弥补美光以前滞后于行业发展所做的努力，并坦言美光在2D NAND方面已经落后于使用TLC内存的竞争对手。但至少现在来说情况不一样了，美光率先通过与英特尔的合作推出了QLC NAND。

美光表示将推动自己的技术发展以扩大现有的NAND和DRAM路线图，推进3D XPoint存储并开发新兴内存。此外美光还承诺提供高性能内存（HBM和图形卡），并管理NAND、SSD和3D XPoint等产品。

在描述XPoint的时候，Mehrotra的幻灯片重复了最初那个有争议的XPoint观点：10倍DRAM密度；1000倍的NAND耐用性，速度比NAND快10000倍。

美光表示，明年将交付NVMe客户端SSD，并通过NV-DIMM-N设备想内存转移。Micron还承诺在今年下半年推出1Ynm DRAM，并且还谈到了未来的1Znm工艺的优化、1αnm、技术集成和1β模块集成，并表示Micron已经有了清晰且自信的DRAM技术路线图，在多个节点上都有并行的进展。

96层NAND是Micron的第三代产品。美光宣称将利用Replacement Gate (RG)、CMOS阵列技术以及新的电荷陷阱单元技术、领先的裸片尺寸和性能特点，对4G 3D NAND进行性能和尺寸上的优化。层数没有透露，不过我们认为可能是128层左右。

与第三代96层NAND相比，第四代3D NAND的写入带宽将增加30％以上，每比特能耗降低40％多。

Mehrotra称，3D Xpoint和新兴内存产品将在2019年及以后出现，Micron在XPoint产品方面落后英特尔三年或更长时间。

展示给分析师的一张幻灯片上，显示出Micron新兴的内存产品和DRAM一样快，也更便宜。但技术基础是什么并没有透露。

美光新兴内存技术的幻灯片

开始与英特尔NAND制造联盟中脱离出来的美光，似乎正在成为一家更强大的半导体内存芯片和产品制造商。