兰圣科技
威世科技半导体经销商
全国服务热线：
400-886-3282
SI7465DP-T1-GE3
制造商产品编号：SI7465DP-T1-GE3
制造商：Vishay
规格书：
预览下载
现货数量：
3496 （实时库存请联系网站客服）
起订量：1
产品批号：2022
原厂标准交货期 ：1天
包装方式：编带
产品状态：在售
产品参数
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | P-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 64mOhm @ 5A, 10V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W (Ta) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH 状态 | Reach unknown |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
在线询价
（我们将在工作日内与您联系）
