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AO3162

AO3162
制造商产品编号:AO3162
制造商:Aos
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起订量:1
产品批号:2022
原厂标准交货期 :1天
包装方式:编带
产品状态:在售
产品参数
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)34mA(Ta)
驱动电压(更大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(更大值)500 欧姆 @ 16mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(更大值)4.1V @ 8?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(更大值).15nC @ 10V
Vgs(更大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(更大值)6pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(更大值)1.39W(Ta)
工作温度-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


类型 描述
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
工作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
技术 MOSFET (Metal Oxide)
FET 类型 N-Channel
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34mA (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500Ohm @ 16mA, 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.39W (Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 8µA
供应商器件封装 SOT-23A-3
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Vgs(最大值) ±30V
漏源电压(Vdss) 600 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.15 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6 pF @ 25 V
环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 ROHS3 Compliant
湿气敏感性等级 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 状态 Reach unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
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