哈喽，元气满满的兰圣小编继续放送绝缘栅场效应管的知识点，快和小编一起看起来~

它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。

（1）结构原理

以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。

在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

（2）特性曲线

1）转移特性（栅压----漏流特性）

Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流。

Vr为开启电压，当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加。

2）漏极特性（输出特性）

各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）。

下期，小编将放送有关场效应管的主要参数介绍，大家可以先期待起来啦~