今天，小编将为大家带来有关半导体器件筛选方案设计介绍，大家赶紧看起来~半导体器件可以划分为分立器件和集成电路两大类。分立器件包括各种二极管、三极管、场效应管、可控硅、光电器件及特种器件; 集成电路包括双极型电路、 MOS电路、厚膜电路、薄膜电路等器件。

各种器件的失效模式和失效机理都有差异。不同的失效机理应采用不同的筛选项目，如查找焊接不良，安装不牢等缺陷，可采用振动加速度; 查找元器件键合不牢，装片不良，内引线配置不合适等缺陷，采用离心加速度; 查找间歇短路、间歇开路等缺陷，采用机械冲击等。

因此，不同器件的筛选程序不一定相同。如晶体管的主要失效模式有短路、开路、间歇工作、参数退化和机械缺陷等五种，每种失效模式又涉及到多种失效机理，这些都是制定合理的筛选程序的重要依据。

①外观检查：用10倍放大镜检查外形、引线及材料有无缺陷。

②温度循环：使元器件交替暴露在规定的极限高温和极限低温下，连续承受规定条件和规定次数的循环，由冷到热或由热到冷的总转移时问不超过1min，保持时间不小于10min。

③高温寿命(非工作)：按照标准规定的寿命试验要求，使元器件在规定的环境条件下(通常是更高温度)存储规定的时间。

④电功率老炼：按降额条件达到更高结温下的老炼目的，老炼功率按元器件各自规定的条件选取。

⑤密封性试验：有空腔的元器件，先细检漏，后粗检漏。

⑥电参数测试(包括耐压或漏电流等测试)：按产品技术规范合同规定进行。

⑦功能测试：按产品技术规范合同规定进行。

基于以上原理，优化了元器件测试筛选先后次序，按照失效模式的分类，对检测筛选手段依据元器件测试筛选先后次序的原则进行排序。

二极管典型筛选程序

常用的半导体二极管有整流、开关、稳压、检波和双基极等类型，典型的筛选程序如下:

      (1) 高温储存: 锗管100℃、硅管150℃, 96h。

      (2)温度循环:锗管-55℃-+85℃,5次; 硅管-55℃~+125℃,5次。

      (3)敲变:用硬橡胶锤敲3~5次，同时用图示仪监视正向特性曲线。

      (4)跌落:在80cm高度，按自由落体到玻璃板上5～15次。

      (5)功率老炼:

      ①开关管:1.5倍额定正向电流，12小时;

      ②稳压管:1～1.5倍额定功率，12小时;

      ③检波整流管:1～ 1.5 倍额定电流，12小时; 

      ④双基极二极管:额定功率老炼12小时。

      (6)高温反偏: 锗管700C，硅管1250C , 额定反向电压2小时，漏电流不超过规范值。

      (7)高温测试: 锗管70℃，硅管125℃。

      (8)低温测试:－55℃。

      (9)外观检查:用显微镜或放大镜检查外观质量，剔除玻璃碎裂等有缺陷的管子。

三极管典型筛选程序

高温储存—温度循环—跌落(大功率管不做)—功率老炼—高低温测试(有要求时做)—常温测试—粗细检漏—外观检查。

      (1)高温储存:锗管100℃、硅管175℃, 96小时。

      (2)功率老化: 小功率管加功率至结温Tjm，老炼24小时，高频管要注意消除有害的高频振荡，以免管子hFE退化。

半导体集成电路典型筛选程序

高温储存—温度循环—(跌落)—离心—高温功率老炼—高温测试—低温测试—检漏—外观检查—常温测试。

      (1)高温储存:85～175℃, 96小时。

      (2)离心:20000g,1分钟

      (3)高温功率老炼:85℃, 96小时，在额定电压、额定负载下动态老炼。

电子元器件的筛选重点应放在可靠性筛选上，具体的筛选程序可根据元器件的结构特点、失效模式及使用要求灵活制订。

筛选和质量控制是高可靠元器件生产中的重要环节。对于优质产品，通过筛选可使整批产品达到其固有的高可靠性。对于劣质产品，由于其固有的缺陷，就不可能筛选出高可靠产品。因此，在筛选前有必要对产品的质量和可靠性水平进行抽样试验评价，通过试验和失效分析有助于制订合理的筛选程序。

好了，有关小编为大家介绍的半导体器件筛选方案设计就讲到这里了，还有什么不懂的请咨询我们~