| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 40mA(Ta) |
| 驱动电压(更大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(更大值) | 500 欧姆 @ 16mA,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(更大值) | 3.2V @ 8?A |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(更大值) | 1.5nC @ 10V |
| Vgs(更大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(更大值) | 15pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(更大值) | 1.39W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | N-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40mA (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500Ohm @ 16mA, 10V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 1.39W (Ta) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.2V @ 8µA |
| 供应商器件封装 | SOT-23A-3 |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 600 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 15 pF @ 25 V |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH 状态 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |