类型 | 描述 |
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封装/外壳 | TO-247-3 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
FET 类型 | N-Channel |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.3A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 675mOhm @ 1.2A, 15V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 44W (Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.2mA |
供应商器件封装 | TO-247 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V |
Vgs(最大值) | +15V, -5V |
漏源电压(Vdss) | 1200 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12 nC @ 15 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 206 pF @ 800 V |
属性 | 描述 |
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RoHS 状态 | 符合ROHS3 |
湿气敏感性等级 (MSL) | |
REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |