| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | P-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20Ohm @ 150mA, 10V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 625mW (Ta) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 100 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50 pF @ 25 V |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH 状态 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |