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AIMW120R045M1
制造商产品编号：AIMW120R045M1
制造商：Infineon
规格书：
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现货数量：
3906 （实时库存请联系网站客服）
起订量：1
产品批号：2022
原厂标准交货期 ：1天
包装方式：编带
产品状态：在售
产品参数
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET 类型 | N-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A (Tc) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59mOhm @ 20A, 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 228W (Tc) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 10mA |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 等级 | Automotive |
| Vgs（最大值） | +20V, -7V |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57 nC @ 15 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2130 pF @ 800 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH 状态 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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