类型 | 描述 |
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封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 类型 | P-Channel |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A (Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 98mOhm @ 3A, 10V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.25W (Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 510 pF @ 25 V |
属性 | 描述 |
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RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
REACH 状态 | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |