类型 | 描述 |
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封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
安装类型 | Through Hole |
Transistor 类型 | 2 PNP (Dual) |
工作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
功率 - 最大值 | 350mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA (ICBO) |
DC Current 增益 (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
频率 - Transition | - |
供应商器件封装 | TO-78-6 |
属性 | 描述 |
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RoHS 状态 | unknown |
湿气敏感性等级 (MSL) | |
REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
ECCN | IN PROGRESS |
HTSUS |