| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 安装类型 | Through Hole |
| Transistor 类型 | NPN |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
| DC Current 增益 (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| 频率 - Transition | 100MHz |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800 mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45 V |
| 功率 - 最大值 | 625 mW |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | Not Applicable |
| REACH 状态 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |