| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | P-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 115mOhm @ 3A, 10V |
| FET 功能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 功率耗散(最大值) | 1.6W (Ta) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| Vgs(最大值) | ±25V |
| 漏源电压(Vdss) | 30 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.3 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 455 pF @ 10 V |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | unknown |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | Vendor Undefined |
| REACH 状态 | Reach unaffected |
| ECCN | |
| HTSUS |