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KSD2012GTU

KSD2012GTU
制造商产品编号:KSD2012GTU
制造商:On
现货数量: 6738 (实时库存请联系网站客服)
起订量:1
产品批号:2022
原厂标准交货期 :1天
包装方式:编带
产品状态:在售
产品参数
类型 描述
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
安装类型 Through Hole
Transistor 类型 NPN
工作温度 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100µA (ICBO)
DC Current 增益 (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
频率 - Transition 3MHz
供应商器件封装 TO-220F-3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
功率 - 最大值 25 W
环境与出口分类
属性 描述
RoHS 状态 unknown
湿气敏感性等级 (MSL) Vendor Undefined
REACH 状态 Reach affected
ECCN
HTSUS
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