兰圣科技
安森美半导体经销商
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FDT434P
产品参数
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 类型 | P-Channel |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A (Ta) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50mOhm @ 6A, 4.5V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W (Ta) |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1187 pF @ 10 V |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | unknown |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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