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SI4909DY-T1-GE3
制造商产品编号：SI4909DY-T1-GE3
制造商：Vishay
规格书：
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3781 （实时库存请联系网站客服）
起订量：1
产品批号：2022
原厂标准交货期 ：1天
包装方式：编带
产品状态：在售
产品参数
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大值 | 3.2W |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27mOhm @ 8A, 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH 状态 | Reach unknown |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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