类型 | 描述 |
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封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大值 | 16.7W, 31W |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A, 40A |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 760pF @ 15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.5mOhm @ 15.6A, 10V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19nC @ 10V |
FET 功能 | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
供应商器件封装 | 8-Power33 (3x3) |
属性 | 描述 |
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RoHS 状态 | ROHS3 Compliant |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) |
REACH 状态 | Reach unknown |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |